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cny75gb供应商优质现货

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cny75gb价格行情

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cny75gb中文资料

  • 通道数::

    1

  • 隔离电压::

    5kV

  • 输出类型::

    光晶体管

  • 输入电流::

    50mA

  • 输出电压::

    70V

  • 封装类型::

    DIP

  • 针脚数::

    6

  • SVHC(高度关注物质)::

    No SVHC (19-Dec-2011)

  • 上升时间::

    3μs

  • 下降时间::

    3.7μs

  • 功耗::

    265mW

  • 功耗, Pd::

    265mW

  • 外宽::

    8.8mm

  • 外部深度::

    6.4mm

  • 外部长度/高度::

    4.2mm

  • 工作温度范围::

    -55°C 到 +100°C

  • 引脚节距::

    2.54mm

  • 批准机构::

    BSI / DIN / FIMKO / UL / VDE

  • 排距::

    7.62mm

  • 最大正向电流, If::

    130mA

  • 正向电压 Vf 最大::

    1.6V

  • 电压, Vceo::

    90V

  • 电压, Vf 典型值::

    1.25V

  • 电流, If @ CTR测量::

    10mA

  • 电流传递率(CTR) 最小值::

    100%

  • 电流传递率(CTR), 最大值::

    200%

  • 输出类型::

    光晶体管

  • 光耦合器技术特性与应用

    80～160 70 sharp dzp-4基极未引出pc817a 80～160 35 sharp sfh610a-2 63～125 70 simens nec2501-h 80～160 40 nec cny17-2 63～125 70 motoroln dzp-4基极未引出cny17-3 100～200 70 simens sfh600-1 63～125 70 simens sfh600-2 100～200 70 simens cny75ga 63～125 90 temic dzp-4基极未引出cny75gb 100～200 90 temic moc8101 50～80 30 motoroln moc8102 73～117 30 motoroln 3.光耦合器的技术参数 光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降vf、正向电流if、电流传输比ctr、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压v(br)ceo、集电极-发射极饱和压降vce(sat)。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。 最重要的参数是电流放大系数传输比ctr（curremt-t

cny75gb替代型号

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