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  • DIP6/2025+

  • 一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

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  • 原装最低价，认准华盛锦

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  • 只有原装原装，支持BOM配单

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  • 原装现货

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cny75ga中文资料

  • 最大集电极发射器饱和电压:

    300mV

  • 产品宽度:

    6.5mm

  • 产品长度:

    8.7mm

  • 产品高度:

    3.81mm

  • 供应商包装:

    PDIP

  • 典型上升时间:

    2.5μs

  • 典型下落时间:

    2.7μs

  • 典型前向电压:

    1.25V

  • 功能:

    晶体管和光电池输出型光耦合器

  • 安装:

    通孔

  • 插脚数:

    6

  • 最大前向电压:

    1.6V

  • 最大功率耗散:

    250mW

  • 最大工作温度:

    100°C

  • 最大转移电流比:

    125%

  • 最大输入电流:

    60mA

  • 最大逆向电压:

    5V

  • 最大集电极发射器电压:

    90V

  • 最大集电极电流:

    50mA

  • 最小工作温度:

    -55°C

  • 最小转移电流比:

    63%

  • 最小隔离电压:

    5000Vrms

  • 每芯片通道数目:

    1

  • 输入类型:

    直流

  • 输出类型:

    直流

  • 输出装置:

    带基座的晶体管

  • 光耦合器技术特性与应用

    号 ctr/% v（br）ce0/v 生产厂 封装型式pc816a 80～160 70 sharp dzp-4基极未引出pc817a 80～160 35 sharp sfh610a-2 63～125 70 simens nec2501-h 80～160 40 nec cny17-2 63～125 70 motoroln dzp-4基极未引出cny17-3 100～200 70 simens sfh600-1 63～125 70 simens sfh600-2 100～200 70 simens cny75ga 63～125 90 temic dzp-4基极未引出cny75gb 100～200 90 temic moc8101 50～80 30 motoroln moc8102 73～117 30 motoroln 3.光耦合器的技术参数 光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降vf、正向电流if、电流传输比ctr、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压v(br)ceo、集电极-发射极饱和压降vce(sat)。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等

cny75ga替代型号

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