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agtr的专用厚膜可驱动器集成电路，文章中说明了hl201a的引脚排列、用法和功能。并且讲解了该器件的主要参数和特点，剖析了它的工作原理和内部结构，给出了它的典型应用电路和用于斩波器系统的实际电路。 hl201a gtr驱动器适用于小于75agtr的直接驱动。它采用厚膜工艺制造，内置微分变压器，可以实现输入、输出信号的隔离，具有较高的可靠性、受环境因素影响程度小、价格比较便宜及性能优良等优势。hl201a gtr厚膜驱动器是我国的首创。它的响应速度快，并具有贝克钳位端，外与高反压快速二极管mur1100相接即可实现贝克钳位。它的较大的输出功率可直接驱动75a以内的gtr模式。 1.引脚排列和功能 hl201a是采用单列直插法案标准16引脚厚膜集成电路封装的，其引脚排列如图1所示，各引脚的符号、名称、功能及使用说明如表1所列。 表1 hl201的引脚说明 2.特点及参数 hl201a对电源的适应范围比较宽，而且输出驱动电流大，同时工作频率也比较宽，该电路采用厚膜封装，因而提高了对环境的适应性。 hl201a的主要电参数如下： ·供电电源电压：vcc=
产品型号:MUR1100ERLG
峰值反向电压VRRM(V):1000
最大平均正向电流IO(A):1
最大全周期正向压降VF(V):1.750
最大非重复浪涌电流IFSM(A):35
最大反向电流IR(mA):0.600
封装/温度(℃):DO-41/-65~175
价格/1片(套):￥1.80
产品型号:MUR1100EG
峰值反向电压VRRM(V):1000
最大平均正向电流IO(A):1
最大全周期正向压降VF(V):1.750
最大非重复浪涌电流IFSM(A):35
最大反向电流IR(mA):0.600
封装/温度(℃):DO-41/-65~175
价格/1片(套):￥1.80
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8.0A/1000V
hl201a的引脚排列、功能和用法。同时介绍了该器件的主要参数和特点，剖析了它的内部结构和工作原理，给出了它的典型应用电路以及用于斩波器系统的实际电路。 关键词：gtr 驱动器 厚膜 hl201a hl201a gtr驱动器适用于75a以内gtr的直接驱动。它采用厚膜工艺制造，内置微分变压器，可实现输入、输出信号的隔离，具有可靠性高、受环境因素影响小、性能优良及价格便宜等优点。hl201a gtr厚膜驱动器为国内首创。它响应速度快，并具有贝克钳位端，外接高反压快速二极管mur1100即可实现贝克钳位。其较大的输出功率可直接驱动75a以内的gtr模式。 1 引脚排列及功能 hl201a采用单列直插法案标准16引脚厚膜集成电路封装，其引脚排列如图1所示，各引脚的名称、称号、功能及用法如表1所列。表1 hl201的引脚说明 引脚号 符 号 名 称 或 功 能 使 用 说 明 1 vdd1 输入级电源端 接用户工作电源，+9～+15 2 gnd1 输入级地端 接用户工作电源地 3 vin 控制脉冲输入端 接用
di/dt等因素引起的电压过冲，因此，通常应用于母线电压不高于400v（如国内电网对单交流整流后的310v）的系统中。 （5）可用来驱动高端或低端通道中的一个mosfet或igbt。 （6）从ir2117到被驱动的mosfet或igbt的引线应尽可能短，其往返引线长度应限于200mm以内，并应尽可能使用绞线或同轴电缆屏蔽线，最好将被驱动的mosfet或igbt与ir2117装于同一印制板上用印刷线条直接相连。 4.2 典型应用电路 图3给出了ir2117的典型应用电路，图中的二极管可选用mur1100。 4.3 应用举例 ir2117的结构及特点决定了它可用来驱动一个高端或低端mosfet或igbt，图4给出了应用ir2117驱动mosfet而设计的斩波器的系统原理图，图中pwm的脉冲形成由专用集成电路tl494来获得，vb应用自举技术获得，图4(a)与图4(b)分别给出了ir2117用来驱动高端和低端mosfet的主电路原理图。
怎么选这个?你可以用两个1000v的串在一起啊mur1100到处都有啊byv26g很多厂的目录上有,但都不生产或根本就做不出来啊mur
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