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当前位置：维库电子市场网>IC>ffpf08s60s 更新时间:2025-06-25 17:28:54

ffpf08s60s供应商优质现货

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  • 固电半导体，33年国产工厂，可替代进口

  • FFPF08S60STU

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  • FFPF08S60S

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ffpf08s60s价格行情

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历史最低报价：￥0.0000 历史最高报价：￥0.0000 历史平均报价：￥0.0000

ffpf08s60s中文资料

  • 飞兆推出全新FFP08S60S和FFPF08S60S Stealth II二极管

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二极管技术，作为其专为lcd tv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta>1.3)和极短的反向恢复时间(trr<25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管，具有很快的反向恢复时间(trr<35ns @ 600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf<2.1v)，有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfet mosfet技术系列相结合，并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi。

  • Fairchild 推出功率器件解决方案

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新stealth™ ii 和 hyperfast ii二极管技术，作为其专为lcd tv开关电源 (smps) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm (连续电流模式) 功率因数校正 (pfc) 设计中改善emi 和 mosfet开关损耗。 同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管，具有很快的反向恢复时间 (trr < 35ns @ 600v击穿电压) 和很低的前向电压降(vf < 2.1v)，有助于在dcm (不连续电流模式) pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet™ 及 superfet™ mosfet技术系列相结合，并

  • 飞兆半导体推出完整的功率器件解决方案实现高效、可靠的低噪声LCD TV电源设计

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新stealth ii 和 hyperfast ii二极管技术，作为其专为lcd tv开关电源 (smps) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm (连续电流模式) 功率因数校正 (pfc) 设计中改善emi 和 mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管，具有很快的反向恢复时间 (trr < 35ns @ 600v击穿电压) 和很低的前向电压降(vf < 2.1v)，有助于在dcm (不连续电流模式) pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet 及 superfet mosfet技术系列相结合，并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决

  • 飞兆半导体发布全新Stealth II和Hyperfast II二极管技术

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二极管技术，作为其专为lcd tv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta > 1.3)和极短的反向恢复时间(trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管，具有很快的反向恢复时间(trr < 35ns @ 600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf < 2.1v)，有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfet mosfet技术系列相结合，并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠

  • 飞兆功率器件解决方案可改善EMI和MOSFET开关损耗

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二极管技术，作为其专为lcd tv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta>1.3)和极短的反向恢复时间(trr<25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管，具有很快的反向恢复时间(trr<35ns @ 600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf<2.1v)，有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfet mosfet技术系列相结合，并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi

ffpf08s60s替代型号

FFPF08H60S FFPF04S60S FFP30S60S FFP15S60S FFP08S60S FFP04S60S FFH30S60S FFH15S60S FFFF FFAF40U60DN

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