世俱杯 2025

当前位置：维库电子市场网>IC>fdz197pz 更新时间:2025-06-20 12:20:26

fdz197pz供应商优质现货

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fdz197pz价格行情

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历史最低报价：￥0.0000 历史最高报价：￥0.0000 历史平均报价：￥0.0000

fdz197pz中文资料

  • 标准包装:

    5,000

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    PowerTrench®

  • FET 型:

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    20V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    3.8A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    64 毫欧 @ 2A，4.5V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    1V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    25nC @ 4.5V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    1570pF @ 10V

  • 功率 - 最大:

    900mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    6-UFBGA，WLCSP

  • 供应商设备封装:

    6-WLCSP

  • 包装:

    带卷 (TR)

  • 其它名称:

    FDZ197PZTR

  • 飞兆半导体P沟道MOSFET提供业界最低RDS(ON)

    日前，飞兆半导体公司 (farichild semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一p沟道mosfet器件fdz197pz，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。fdz197pz在vgs= 4.5v时提供64mohm之rds(on) 值，较同类解决方案低15%，且占位面积仅为1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。该器件采用wl-csp封装，比占位面积相似的传统塑料封装mosfet具有更佳功耗和传导损耗特性。fdz197pz具有比其它的同级mosfet器件更强大的静电放电(esd)保护功能(4kv)，能够保护器件避免可能导致应用失效的esd事件之应力影响。 p沟道mosfet器件fdz197pz采用飞兆半导体性能先进的powertrench mosfet工艺技术制造，可以达到更低的rds (on) 、更高的负载电流和更小的封装尺寸。这款wl-csp 封装备有6 x 300µm无铅焊球，以用于电路板连接，提供了比其它的wl-csp引脚输出更出色的电气性能和热阻。其安装时封装高度

  • Farichild推出单一P沟道MOSFET器件

    飞兆半导体公司 (farichild semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一p沟道mosfet器件fdz197pz，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。fdz197pz在vgs= 4.5v时提供64mohm之rds(on) 值，较同类解决方案低15%，且占位面积仅为1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。该器件采用wl-csp封装，比占位面积相似的传统塑料封装mosfet具有更佳功耗和传导损耗特性。fdz197pz具有比其它的同级mosfet器件更强大的静电放电(esd)保护功能(4kv)，能够保护器件避免可能导致应用失效的esd事件之应力影响。 p沟道mosfet器件fdz197pz采用飞兆半导体性能先进的powertrench? mosfet工艺技术制造，可以达到更低的rds (on) 、更高的负载电流和更小的封装尺寸。这款wl-csp 封装备有6 x 300μm无铅焊球，以用于电路板连接，提供了比其它的wl-csp引脚输出更出色的电气性能和热阻。其安装时封装高度仅为0.65mm，为薄型产品设计

fdz197pz替代型号

FDZ191P FDW2520C fdv302p FDV301N FDS9945 FDS9926A FDS9926 FDS9435A FDS8817NZ FDS8813NZ

FDZ204P FDZ299P FDZ371PZ FDZ391P FDZ5047N FDZ7064S FE100 FE2.1 FE20 FE3B

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