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SI1303DL-T1

更新时间:2025-07-09 19:40:56

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SI1303DL-T1 概述

SI1303DL-T1是Vishay公司生产的一款P沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种功率管理应用。其最大漏源电压(VDS)为-20V，在连续漏极电流(ID)为-4.6A（25°C）时仍能稳定工作。由于其紧凑的封装尺寸和优异的电气性能，广泛应用于负载开关、电源管理以及便携式设备中的DC-DC转换器等场景。在实际使用中，需注意确保栅极驱动电压足够以保证MOSFET充分开启，并合理设计散热措施避免过热。

SI1303DL-T1 规格参数

制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
20 V
闸/源击穿电压
+/- 12 V
漏极连续电流
0.67 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.56 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
封装
Reel
下降时间
31 ns
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
290 mW
上升时间
31 ns
工厂包装数量
3000
商标名
TrenchFET
典型关闭延迟时间
12.5 ns

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