|
|||||||||||
| 技术交流 | 电路欣赏 | 工控天地 | 数字广电 | 通信技术 | 电源技术 | 测控之家 | EMC技术 | ARM技术 | EDA技术 | PCB技术 | 嵌入式系统 驱动编程 | 集成电路 | 器件替换 | 模拟技术 | 新手园地 | 单 片 机 | DSP技术 | MCU技术 | IC 设计 | IC 产业 | CAN-bus/DeviceNe |
PIN型二极管（PIN Diode） 一问 |
| 作者：裴文中 栏目：集成电路 |
PIN型二极管（PIN DIODE） 这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100MHZ时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。 以上是我在baidu上搜到的关于PIN二极管的一段描述，当中提到的 “少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应”分别是什么？哪位能够给我解释一下，谢谢 |
| 2楼： | >>参与讨论 |
| 作者： zhbb0407 于 2007/3/14 11:03:00 发布：
是的 这个问题确实值得大侠们帮忙解释一下! 谢谢! |
|
| 3楼： | >>参与讨论 |
| 作者： 老黄头 于 2007/3/22 14:21:00 发布：
瞎说，让各位见笑！ PIN管是用锂飘移的工艺生产的, 锂的原子半径很小, 可以在电场的作用下在硅中飘移。 PIN管一般用P型硅作衬底，真空蒸镀金属锂；加温扩散，最后加电飘移。 P型硅空穴是多数载流子。锂是一价金属，有一个价电子。蒸镀扩散后形成N型硅这与普通二极管相同，加电场电飘移时锂的原子在电场的作用下向P区移动，补偿P型硅的空穴使P型硅还原为本征硅即（I区）。I区的宽度一般在几十微米到一两毫米。少子渡越I区的时间少子“本征”层中的渡越时间。I区的少子少子少数载流子的存贮。 瞎说，让各位见笑！ |
|
|
|
Copyright © 1998-2006 tgdrjb.cn 浙ICP证030469号 |