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寻问高精密稳压电路的实现方法 |
作者:wfmcu 栏目:IC设计 |
打开美信的datasheet 看到他们做的LDO 电压稳定度达到0.1% 温漂可做到10PPM 静态功耗可以做到3个uA 真牛。 他们是怎样做到的呢? 温度漂移可以用对称的PN结等做温度补偿,但电压稳定度单纯靠P/N结加恒流能行吗?并且功耗做到了几个uA级。 那位能给个实现的思路吗? 谢谢 |
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作者: Jackichen 于 2006/9/22 23:42:00 发布:
我来告诉你 我在美信工作了四年(设计),知道他们是怎么做的: 1)工艺:有纵向PNP的BiCMOS+极低温度系数的高阻金属膜电阻 2)设计:有温度curvature补偿的BiCMOS Bandgap参考电源,3uA并不难做到,我曾做过1.5uA的LDO。 3)设计支持:非常好的MODEL和很多种选择 4)基于统计学原理,对足量样品进行实验室验证和可靠性分析 4)圆片测试:激光修调,可以容易达到0.1%的精度 5) 封装后测试:封装后修调以纠正封装造成的失调。另外有可能加高低温测试。 由此可见,高性能的模拟芯片是半导体综合技术的全面体现,包括有效率的项目流程管理,并不是几个“设计牛人”可以搞定的。无论在软件和硬件上说,国内目前没有可能做出类似的商业化产品。就像国产的运十飞机无法上马一样,当愤青骂人是没用的。如果大家都把自己的专业精益求精,戒浮躁,会逐步赶上的。没有什么可神秘的,也没有绝招可使。 另外,楼上说的几项指标虽然很厉害,但不是LDO中最被看重的指标,更好像是电压基准源的指标。LDO的指标更被看重的是PSRR,噪声,输入输出压差,及动态稳定性。电压精确度没必要做到0.1%,温飘也没必要到10ppm。 但不排除美信钻某几个性能的牛角尖来“作秀”,其广告意义大于实用。 |
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作者: liu1875 于 2006/9/23 2:38:00 发布:
噪声我觉得放在第一位 输入和输出的压差问题,因为每家公司有自己的标准,最关键的是噪声,怎么做到低噪声,才是最关键的。 特别是手机上的电源,以及PLL里VCO的电源。都需要低噪声。 |
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作者: david314 于 2006/9/27 11:38:00 发布:
GOOD SUPPORT!!!!!!!!!!111 |
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作者: love119 于 2006/9/28 9:39:00 发布:
Hello, JackiChen 你好: 我很想结识你这位朋友! 有空大家交流交流? 我的电话是: 13044182606 我的电子邮箱:jefftan@sohu.com 我也是做技术的.水比较浅.;-) |
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作者: judge 于 2006/9/28 10:03:00 发布:
Jackichen 分析的不错啊。 顶一下 顺便再来讲讲经,我们也做回雷音寺的老鼠 |
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作者: judge 于 2006/9/28 10:04:00 发布:
Jackichen 分析的不错啊。 顶一下 顺便再来讲讲经,我们也做回雷音寺的老鼠 |
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作者: Jackichen 于 2006/10/4 19:55:00 发布:
可以给我发e-mail jack.ic@hotmail.com,欢迎讨论。 |
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作者: chjggh 于 2006/10/10 15:43:00 发布:
牛人 看了下.虽然我不是做这行的但觉得还是应该顶下. |
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作者: sheepyang 于 2006/10/10 16:30:00 发布:
还是有点意义的 高精度及低漂移在ADC里面还是必须的. |
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作者: Jackichen 于 2006/10/12 6:58:00 发布:
LDO和Voltage referrence不一样! 在ADC里面,高精度及低漂移的是Voltage Referrence, 用于给ADC提供基准电压,不是LDO。当然很多人把LDO当作Voltage Referrence用。但两者是不一样的。 |
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作者: sheepyang 于 2006/10/12 8:43:00 发布:
这个就不好说拉 LDO提供的也是参考电压,和voltage reference在基本的功能上是一样的。 只不过LDO能提供大电流而已。 我想美信这样作自然有它的道理, 光为了作噱头还不至于,美信也该是 世界上做ANALOG算是前几位的公司拉。 |
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作者: iC921 于 2006/11/20 19:05:00 发布:
见识了 |
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作者: laoqi 于 2006/11/26 1:16:00 发布:
俺不太赞成12楼 LDO提供的也是参考电压,和voltage reference在基本的功能上是一样的。 只不过LDO能提供大电流而已。 我想美信这样作自然有它的道理, 光为了作噱头还不至于,美信也该是 世界上做ANALOG算是前几位的公司拉。 ---- 不过俺并不是弄什么芯片的 但是就电路和芯片而言,都没有完美的东西,在某一方面的突出必然有其他方面的不 足,所以在a/d中基准电压用电压基准源,也就是看中了他“准确”这一点。 |
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作者: christon 于 2006/11/27 1:07:00 发布:
牛人 真是牛人啊 |
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作者: liwid 于 2006/11/29 10:24:00 发布:
1.5uA的ldo? 一直很好奇,1.5uA的ldo是如何实现的? 靠特殊的工艺还是电路机构特殊? |
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作者: sheepyang 于 2006/11/30 16:46:00 发布:
1uA的LDO是有的 日本的几家公司就有,采用CMOS和耗尽MOS工艺做的。 好象是日本TOREX XC6206系列LDO,静态电流1uA. * - 本贴最后修改时间:2006-11-30 16:48:48 修改者:sheepyang |
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作者: 终成眷属 于 2006/12/6 11:37:00 发布:
回复 回复 |
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作者: zlingz 于 2006/12/15 16:07:00 发布:
回复 长见识了,太专业了。学习学习 |
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作者: lisa112 于 2006/12/15 21:21:00 发布:
千兆以太网光电介质转换芯平 有哪家公司在卖千兆位以太网光电介质转换芯片,谢谢,发mail:lisa112@sohu.com |
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作者: xjg1111 于 2006/12/27 23:06:00 发布:
re 的确如楼上所说,LDO的指标更被看重的是PSRR,噪声,输入输出压差,及动态稳定性。 在手机设计中,有一些LDO在手机sleep时是不能关闭的,所以要求静态功耗越小越好,但有一个矛盾,一般静态功耗小的PSRR都比较低,瞬态响应也不好。所以选用LDO还要综合考虑。 |
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作者: gudeng614 于 2007/1/1 22:28:00 发布:
我还是有些不懂的,多见识一下好些 |
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作者: xhymsg 于 2007/2/19 13:57:00 发布:
我的理解 我个人觉得,LDO 的主要性能是体现在'L'上面,也就是低.LDO比起DC/DC 的优点就是低噪声,但是功耗大,P=IU,那么压差作的小,那功耗就小,发热就小,那性能肯定要好多. |
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