世俱杯 2025

GT25Q102 Datasheet

  • GT25Q102

  • N CHANNEL IBGT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)

  • 152.55KB

  • 6 Pages页

  • TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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GT25Q102 产品属性

  • 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

  • 25A

  • 2.7V

  • 200W

  • 1.2kV

  • -55°C 到 +150°C

  • TO-3P

  • 3

  • 100ns

  • 160ns

  • 200W

  • 200W

  • TO-3P (LH)

  • ?频道

  • 200W

  • 25A

  • 1.2kV

  • 50A

  • 通孔安装

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